陶瓷半导体特性

具有半导体特性陶瓷的电阻率约为10-5~107Ω.cm,对于陶瓷材料可以通过掺杂或者使化学计量偏离而造成晶格缺陷等方法获得半导体特性。采用这种方法的陶瓷有TiO2、ZnO、CdS、BaTiO3、Fe2O3、Cr2O3和SiC。半导体陶瓷的不同特点是它们的导电性随环境而变化，利用这一特性可制成各种不同类型的陶瓷敏感器件，如热敏、气敏、湿敏、压敏、光敏等传感器。半导体尖晶石材料如Fe3O4,在受控的固溶体内掺人非导体尖晶石材料如MgAl2O4、MgCr2O4,和Zr2TiO4,可用作热敏电阻,它是种可精心控制的随温度而变化的电阻装置。在ZnO中可加入Bi、Mn、Co、Cr等氧化物进行改性，这些氧化物大都不是固溶于ZnO中，而是偏折在晶界上形成阻挡层，从而得到ZnO压敏电阻陶瓷材料,并且是压敏电阻陶瓷中性能 的一种材料。

草炭土营养块育苗方法

草炭土营养块制造主要选择的是泥炭土为主要生产原料，制成的营养土块适用于种苗，蔬菜，花卉，瓜果，林木种苗等植物等，这种草炭土营养块集基质，防病，营养，容器为一体的产品， 适合种苗在较短时期的培育保护，特点是无毒，无菌，透气，保水壮苗等优点。 草炭土营养块使用比较方便，不用筛土及施肥等优点，大大解决劳动力上开支，在育苗时间不用喷农药等，基质具有保水性可以减少水分的灌溉。 简单使用方法，把种子透过部分浸泡吸取部分水份，之后把种苗放到草炭土营养块内铺平压实，放一屋薄膜，把营养块摆放在苗床上，用喷壶由上而下进行喷水，当薄膜有部分积水后停止，待水分吸干后再喷，约6次左右直到营养块全部膨胀，这时可把种苗放入其中，而且是 时期，待种苗长大后可进行移植，这样的好处是保证种苗的出芽率。