具有半导体特性陶瓷的电阻率约为10-5~107Ω.cm,对于陶瓷材料可以通过掺杂或者使化学计量偏离而造成晶格缺陷等方法获得半导体特性。采用这种方法的陶瓷有TiO2、ZnO、CdS、BaTiO3、Fe2O3、Cr2O3和SiC。半导体陶瓷的不同特点是它们的导电性随环境而变化，利用这一特性可制成各种不同类型的陶瓷敏感器件，如热敏、气敏、湿敏、压敏、光敏等传感器。半导体尖晶石材料如Fe3O4,在受控的固溶体内掺人非导体尖晶石材料如MgAl2O4、MgCr2O4,和Zr2TiO4,可用作热敏电阻,它是种可精心控制的随温度而变化的电阻装置。在ZnO中可加入Bi、Mn、Co、Cr等氧化物进行改性，这些氧化物大都不是固溶于ZnO中，而是偏折在晶界上形成阻挡层，从而得到ZnO压敏电阻陶瓷材料,并且是压敏电阻陶瓷中性能 的一种材料。

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